比推消息，三星电机封装事业部课长金相勋在仁川松岛会议中心举行的KPCA Show国际研讨会INSIGHT 2026上发表演讲，提出应对AI半导体封装基板大型化、高多层化的多层核心（MLC）技术方向。

金相勋表示，以往通过增加单张CCL厚度的单层核心（SLC）方式，随核心增厚会导致内部过孔和电路加工难度上升、过孔尺寸缩小受限。MLC转向CCL与PPG多层组合，甚至两张CCL的混合结构，可同时提升刚性和布线自由度，并在PPG层布置地线或信号布线。两张CCL中间加接合层能更稳定支撑基板，但工艺更复杂。

当前量产常用凸点间距90μm以上，85μm左右为印刷微细焊球工艺拐点，80μm附近难度显著上升，55–45μm级可能转向金属凸点。玻璃核心作为另一选项，刚性更高、热膨胀系数更低，有助于减少大型封装翘曲，但需解决易碎处理和微孔镀覆技术。基板需同时满足信号完整性、电源完整性和机械完整性，高性能封装基板层数将从约20层、90mm级向120mm级乃至40层以上发展。