比推消息，三星电机与高通正在共同开发用于2.1D封装的有机桥技术，相关开发与验证已进行一年以上。有机桥类似英特尔EMIB所用硅桥，但采用有机材料并以基板工艺制作，用于连接同一封装内的多颗半导体芯片。

三星电机在带凹槽的FC-BGA基板中埋入有机桥，连接高通芯片并评估性能与可靠性。高通正考虑将其用于数据中心大型多芯片半导体，并于2024年10月申请相关专利。三星电机还与多家其他客户并行开发该技术。

有机桥目标为5至7层再布线层，线宽与间距为1.5至2微米、过孔为4至5微米，芯片间图案密度达每毫米500至1000个。三星电机自行试制评估样品，同时评估外部供应，并与三星电子晶圆代工厂合作进行封装评估。

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