作者：库里，潮向研究

原标题：存储芯片 2 倍杠杆 ETF 上市：美光财报炸穿预期之后，该不该用 $RAM 加杠杆？

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导读

追踪存储芯片主题的 2 倍杠杆 ETF「RAM」于 6 月 24 日上市，同日美光交出 $415 亿营收、84.9%毛利率的史上最强季报，盘后涨逾 12%。

底层标的 DRAM ETF 上市不到三个月吸金超 200 亿美元，但目前较高点回调约 16%。RAM 能放大反弹收益，也能放大回撤损伤。这篇文章拆解 RAM 的产品机制、核心风险和当前买入的盈亏逻辑。

存储芯片板块正处于一个微妙的位置：基本面从未如此强劲，但价格已从高点回落。

6 月 24 日上市的 2 倍杠杆 ETF「RAM」，把这个问题推到了每个关注存储赛道的投资者面前——在回调中加杠杆，是抄底利器还是加速亏损的放大器？

回答这个问题之前，先看当天发生了什么。

美光单季$415 亿营收，存储超级周期拿到最硬验证

RAM 上市当日盘后，美光科技发布了 2026 财年第三财季业绩。

据美光提交 SEC 的 8-K 文件，该季度营收$414.6 亿，同比增长 346%，大幅超出华尔街约$347 亿的共识预期。非 GAAP 每股收益$25.11，共识预期约$20。毛利率 84.9%，刷新公司纪录，去年同期仅 39%。DRAM 产品贡献营收$313 亿（占比 76%），数据中心业务同比增长超过 7 倍至$115 亿。

更关键的是前瞻指引：Q4 营收指引$500 亿（±10 亿），毛利率约 86%。CEO Sanjay Mehrotra 同时宣布签署 16 份战略客户协议，锁定多年供应承诺。据 CNBC 报道，美光盘后涨约 12.6%。

这份财报的意义在于：它验证了存储超级周期的核心逻辑。供给受限、价格持续上行、利润率还在扩张。高盛此前估算 2026 年 DRAM 供需缺口 4.9%，为近 15 年最严峻。美光披露公司中期内只能满足客户需求的 50%至三分之二，全年 HBM 产能已被合同锁定。对于考虑用 RAM 加杠杆的投资者而言，这是最重要的基本面背景。

RAM 是什么：2 倍日内杠杆，追踪史上增长最快的 ETF

RAM 的全称是 Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF，由 Roundhill Investments 与 T-REX（REX Shares 和 Tuttle Capital Management 的合资公司）联合发行，6 月 24 日在 Cboe BZX 交易所上市。

它的标的是 Roundhill Memory ETF（代码 DRAM），一只纯存储芯片主题 ETF，仅纳入超过 50%营收来自存储业务的公司。DRAM 于 4 月 2 日上市，10 个交易日破 10 亿美元管理规模，截至 6 月 24 日 AUM 超过 200 亿美元、总回报 179.84%，是 ETF 行业有史以来增长最快的产品。

RAM 的机制：每个交易日重新平衡，目标实现 DRAM 当日收益的 200%。DRAM 涨 3%，RAM 目标涨 6%；DRAM 跌 3%，RAM 目标跌 6%。净费率 1.25%（豁免至 2027 年 9 月）。托管人为花旗银行。目前不支持期权交易。

DRAM ETF 持仓高度集中：

SK 海力士约 29%、美光约 27%、三星约 21%，三只股票合计占基金净资产约 77%。其余持仓包括 Kioxia、SanDisk、西部数据、希捷等，权重均为低个位数。这三家公司恰好也是全球仅有的三家 HBM 供应商。

RAM 的三个核心风险：拿着不动会怎样

RAM 的风险不在方向判断上，而在持有方式上。Roundhill 在招募书中明确警告：该基金「不适合所有投资者」，仅适用于理解杠杆风险、愿意频繁监控持仓的投资者。

风险一：波动衰减。 杠杆 ETF 每日重新平衡，在震荡市中即使标的资产最终持平，杠杆 ETF 也会亏损。简单举例：DRAM 第一天涨 10%、第二天跌 10%，两天后 DRAM 净值变为原来的 99%（亏 1%），但 RAM 净值变为原来的 96%（亏 4%）。震荡越剧烈、持有时间越长，衰减越明显。这意味着 RAM 适合短期方向性交易，不适合长期持有。

风险二：持仓集中叠加杠杆。 DRAM ETF 77%仓位集中在三只股票，RAM 再对此加 2 倍杠杆。6 月 23 日韩国 KOSPI 暴跌 10%，三星与 SK 海力士均跌超 12%，DRAM ETF 当日下跌约 14%。如果 RAM 当时已上市，理论上单日跌幅将接近 28%。虽然 KOSPI 次日即反弹 3.3%，但这种极端波动叠加 2 倍杠杆的冲击，对仓位管理能力是严峻考验。

风险三：时区错配。 DRAM ETF 约 49%的底层资产（三星、SK 海力士）在首尔交易，美股交易时段内它们的价格无法实时反映。韩股的隔夜波动会在美股开盘时集中释放，造成跳空缺口。RAM 将这种缺口放大 2 倍。

当前位置：回调 16%加杠杆？

截至 6 月 24 日收盘，DRAM ETF 报$68.35，较 6 月 19 日的 52 周高点$81.34 回调约 16%。美光收盘价$1057.59，盘后因财报上涨约 12.6%至$1190 附近。

如果用简化模型推演：假设美光财报催化 DRAM ETF 在 6 月 25 日反弹 8%（考虑到韩股同步反弹），RAM 的目标收益约为 16%。反之，如果市场对美光财报「利好出尽」、DRAM ETF 再跌 5%，RAM 将亏损约 10%。

需要注意的是，DRAM ETF 从 4 月上市价到当前的$68，涨幅仍然巨大（总回报 179.84%）。即便从高点回调 16%，当前价位对于在高位建仓的投资者而言已形成浮亏。

RAM 在这个位置入场，赌的是美光财报能触发新一轮反弹周期，而非延续回调。

支撑这一判断的数据：美光 Q4 指引$500 亿远超市场预期，意味着营收环比还将增长 20%。据 Everstream Analytics 数据，2026 年约 70%的高端 DRAM 产能流向 AI 数据中心。SK 海力士 2026 年 Q1 营业利润率达到 72%。多家机构预计存储短缺将延续至 2028 年甚至更久。

但也有反面信号。

27 位覆盖美光的分析师中 25 位给出买入评级，平均目标价仅比 6 月 22 日收盘价高约 3%，上行空间已经很挤。DRAM ETF 上市仅三个月就出现两次触发韩股熔断级别的波动，说明这个板块的 beta 极高。用 RAM 加杠杆，本质上是用 2 倍杠杆去做一个 beta 已经极高的资产。方向对了回报可观，方向错了退出窗口可能比预期窄得多。

谁应该用 RAM，谁不应该

RAM 适合的投资者画像：

1. 有日内或短期（数日内）交易习惯，

2. 对存储芯片板块有明确的方向判断，能承受单日 20%以上的波动，并且理解杠杆 ETF 不等于「两倍收益」。

不适合的投资者：

1. 计划持有超过一周

2. 把 RAM 当作 DRAM ETF 的「增强版」长期配置。波动衰减会在中长期持有中持续侵蚀收益，即便方向判断正确，最终回报也可能显著低于预期。

对于看好存储超级周期但不具备日内交易能力的投资者，DRAM ETF 本身（费率 0.65%、无杠杆）可能是更稳健的选择。当前$68 的价位较高点回调 16%，如果认可美光财报验证的基本面逻辑，DRAM ETF 允许投资者犯错后有更多修正空间；RAM 则不给这个余地。

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