比推消息，据 Citrini 研究员 Jukan 爆料，三星电子提交最新 HBM 专利，通过改进最顶层 dummy die 结构解决高堆叠（12 层以上）内存的可靠性难题。

专利核心是将 dummy die 侧面设计为三阶台阶加凸曲面结构，采用深槽锯切工艺，减少翘曲、裂纹和分层，同时优化热管理和 bonding 界面清洁度。

此创新针对 HBM5 等 16 层以上产品，可显著提升良率和长期稳定性，有助于三星在 AI 高带宽内存市场增强竞争力。