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SK 海力士启动 3D 堆叠 DRAM 研发,布局端侧 AI 存储新技术

比推消息,SK 海力士正在加速开发被视为面向端侧 AI 的下一代 DRAM 技术——3D 堆叠 DRAM。据悉,公司近期已启动人才招聘计划,并计划与美国客户合作,共同设计相关技术。

3D 堆叠 DRAM 设计是一项下一代半导体技术,即将存储芯片直接堆叠在逻辑半导体(系统半导体)之上。业内预计,在生成式 AI 之后的物理 AI 时代,这类技术将成为端侧 AI 设备的核心半导体解决方案。

SK 海力士近期正通过位于美国圣何塞的美洲法人招聘 3D 堆叠 DRAM 设计工程师,以推进相关技术研发。

说明: 比推所有文章只代表作者观点,不构成投资建议

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