比推消息，在 2026 世界制造业大会上，存储芯片厂商长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。

据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米。第五代工艺平台的存储密度大幅提升，同等条件下每张晶圆产出较上一代平台提升 50% 以上。

基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品已进入正式量产，并进入国产主流旗舰手机。