比推消息，据韩媒 ZDNET 报道，SK 海力士已开始为龙仁半导体集群首座晶圆厂 Y1 的第一阶段洁净室采购设备，初期计划新增月产 2 万片的 1c DRAM 产能。

Y1 原计划于 2027 年 5 月启用第一阶段洁净室，现已提前至 2027 年 2 月。公司计划届时启动试生产线建设，并于 3 月至 4 月进行正式设备安装，扩大月产 2 万片的生产能力。

该产线主要生产第六代 10 纳米级 1c DRAM，可用于 AI 相关高附加值 DDR、LPDDR 产品，并计划应用于最早于 2027 年商业化的 HBM4E。为加快设备导入，SK 海力士还将通常于年末进行的设备售价合同谈判提前至第三季度初。

SK 海力士正同步加快龙仁半导体集群整体建设进度。该项目总投资约 600 万亿韩元，由 4 座晶圆厂组成，第四座晶圆厂完工目标已由 2045 年提前至 2033 年；Y1 第二及第三阶段洁净室预计将于今年下半年开始建设。